一種植入式多功能腦監測器件，自上到下依次包括上封裝層、兩層壓力敏感薄膜、第一絕緣層、磁感線圈結構、第二絕緣層、電極導通層和下封裝層；兩層壓力敏感薄膜之間為多層電極結構；

微電極陣列穿過下封裝層與電極導通層連接。

微電極陣列制備：采用Mo金屬作為測量電極陣列與連接電極材料，并通過兩次磁控濺射法進行分別制備。首先對第二絕緣層表面進行旋涂光刻膠、采用留有電極點位的掩模版進行曝光、顯影與離子刻蝕，采用磁控濺射法在絕緣層表面沉積一層厚度為50μm的Mo金屬薄膜，并去除多余的光刻膠，得到六個直徑為200μm的獨立測量電極位點。對所得結構進行采用與上述流程相類似的處理，并采用留有圖案化電極的掩模版進行光刻顯影與刻蝕加工，采用離子濺射法沉積一層厚度為200nm的Mo金屬薄膜，并去除多余光刻膠，即可得到完整的腦電測量電極結構。

雙層壓力敏感薄膜與電極導通層組成壓力敏感結構，用于采集顱內壓信號；磁感線圈結構由Fe/Zn圖案化，用于向體外上位機系統傳輸采集到的信號；微電極陣列具有6個測量位點，用于采集腦電信號。

第一絕緣層位于兩層壓力敏感薄膜、磁感線圈結構、之間，第二絕緣層位于磁感線圈結構、電極導通層之間，用于避免不同器件層之間發生短路，并具有連接通孔。

微電極陣列與壓力敏感結構電路通過絕緣層上的連接通孔與磁感線圈結構電路連接，用于將所測信號傳導至磁感線圈結構進行信號傳輸。下封裝層上具有預留的通孔結構，其與微電極陣列測量點位相配合，使點位暴露在器件外，從而與大腦皮層表面相接觸。