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植入式生物電子學(xué)為實時和連續(xù)監(jiān)測生物體的生理信號提供了前所未有的機會。大多數(shù)生物電子學(xué)采用薄膜基板,如聚酰亞胺和聚二甲基硅氧烷,這些基板具有高度的柔韌性和可拉伸性。然而,這些薄膜的低滲透性和相對較高的模量阻礙了長期的生物相容性。相比之下,在多孔基板上制造的器件具有高磁導(dǎo)率的優(yōu)點,但圖案密度低。基于此,香港理工大學(xué)Zijian Zheng和香港城市大學(xué)Xinge Yu課題組提出了一種晶圓尺度的高分辨率制造策略,用于超軟,可拉伸和高透氣性的液態(tài)金屬微電極(μLMEs)。通過光刻技術(shù)在4英寸彈性纖維氈上展示了2μm的圖案化能力,或高達~75,500個電極/cm2的超高密度μLME陣列。植入μLME陣列作為神經(jīng)接口,對活體大鼠的皮質(zhì)電圖信號進行高時空定位和干預(yù)。植入的μLMEs具有8個月以上的長期生物相容性。
研究成果以題為“Wafer-patterned,permeable,and stretchable liquid metal microelectrodes for implantable bioelectronics with chronic biocompatibility”的發(fā)表在最新一期的《Science Advances》上
研究內(nèi)容
磁導(dǎo)率和μLME的制備
圖1A顯示了晶圓級μLME的制造過程示意圖,該過程包括四個主要步驟:(i)在SiO上對Ag進行光刻2用一層薄薄的水溶性葡聚糖預(yù)改性晶圓;(ii)將纖維聚(苯乙烯嵌段-丁二烯-嵌段-苯乙烯)(SBS)氈靜電紡絲到Ag微圖案上;(iii)葡聚糖層的溶解和銀微圖案從SiO轉(zhuǎn)移2將晶圓鋪在SBS光纖氈上;(iv)在Ag覆蓋區(qū)域選擇性潤濕LM以產(chǎn)生μLME。
圖1:可拉伸和可滲透的液態(tài)金屬微電極(μLMEs)的制備過程。
圖2:μLMEs結(jié)構(gòu)示意圖。
μLME的滲透性、生物相容性、電導(dǎo)性和拉伸性
由于纖維氈的高孔隙率,μLME對空氣、水分和液體具有出色的滲透性。圖3A顯示了有色液體從μLME的上側(cè)到底部的漸變滲透,顯示出出色的液體滲透性。μLMEs在330μm厚的SBS纖維氈上的透氣性和透濕性分別為78 mm/s和835 g/m2每天(圖3、B和C)。這些值與先前使用相似厚度的測試材料和測試方法的文獻報道相似。相比之下,Ecoflex和PDMS薄膜的透氣性幾乎為零。它們的透濕性低于50 g/m2每天。此外,通過減小SBS厚度可以進一步提高μLMEs的滲透性。厚度為25μm時,透氣性和透濕性分別達到235 mm/s和990 g/m2每天。此外,μLMEs在體外研究中通過使用L-929細胞作為模型細胞具有低細胞毒性。此外,在觀察期間對兔子皮膚進行的體內(nèi)動物實驗表明沒有明顯的刺激(即皮膚上沒有紅斑和水腫)。
圖3:μLMEs的滲透性、導(dǎo)電性和拉伸性表征。
基于μLME的植入式生物電子學(xué),用于具有慢性生物相容性的神經(jīng)接口
由于具有超柔軟性、生物相容性、可拉伸性和高時空分辨率等特性,μLME適用于高器件密度和慢性舒適性至關(guān)重要的植入式生物電子學(xué)。作為概念驗證,我們制造了一個可植入的μLME陣列,用于記錄來自柔軟、彎曲和復(fù)雜的神經(jīng)接口的ECoG信號。用μLME陣列覆蓋由運動,軀體感覺,視覺和脾后皮質(zhì)組成的大鼠的主要皮質(zhì)亞域(圖4A)。μLME陣列具有圓電極單元直徑小(500μm)、精細互連(40μm)和100個電極/cm的高通道密度2(圖S20)。由于與腦組織的機械順應(yīng)性相似(圖S21),μLME(厚度,25μm)與皮質(zhì)表面共形附著,與報道的ECoG器件電極材料(例如,Au/PI,Au/parylene,和硅)。
圖4:基于高密度μLMEs的神經(jīng)電生理界面生物電子學(xué)表征。
圖5:μLMEs用于慢性神經(jīng)植入物的慢性(長期)生物相容性表征。
結(jié)論與展望
多孔和可拉伸基材(如靜電紡絲纖維氈)具有出色的滲透性、柔軟性和生物相容性,這些都是生物電子應(yīng)用的關(guān)鍵屬性。然而,與目前主要選擇的平面基板(如薄膜塑料或彈性體)不同,在粗糙的多孔基板上圖案化高分辨率電極一直是一項具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)。圖案化工藝主要通過絲網(wǎng)印刷和噴墨印刷或陰影遮罩方法等印刷方法進行。因此,圖案化分辨率被限制在50至10,000μm,因此器件密度非常低。
在大尺寸、可滲透和可拉伸的纖維氈上成功制備μLMEs,為高密度、集成、可植入和長期生物相容的LM電子器件鋪平了道路。目前,μLMEs通過配備實驗室的光刻技術(shù)顯示出2μm的典型圖案化分辨率,透濕率為990 g/m2每天,設(shè)備密度超過75,000個電極/厘米2,電導(dǎo)率約為105S/cm,拉伸性高達1500%的應(yīng)變。原則上,μLME的圖案化分辨率可以進一步提高到亞微米(0.25至1μm)區(qū)域,例如,通過使用高分辨率光刻工具和較小纖維直徑的纖維氈。